Adsorption of CO oxidation intermediates on Ag<img class="glyph" src="https://sdfestaticassets-us-east-1.sciencedirectassets.com/shared-assets/16/entities/sbnd" />Au nanoparticles across quantum-confined to bulk-like size regimes

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然而,本轮涨价与以往周期最大的不同在于一个关键变量——HBM(高带宽内存)的爆发式增长。AI芯片(如英伟达H200/B200)对HBM的需求是传统DRAM的数倍甚至数十倍。三大原厂将大量先进制程产能转向HBM,挤占了原本用于生产手机LPDDR(低功耗内存)的产能。这种“结构性短缺”成为本轮涨价的核心推手。

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